GaASⅢ-Ⅴ族衬底片_珈得尔化学试剂

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GaASⅢ-Ⅴ族衬底片

别名：	--
Cas号：	--	M D L：	--
分子式：	--	分子量：	--

物流提示：偏远地区如新疆西藏宁夏甘肃等地可能无法运送液体，下单前请联系客服。

性状：

可以提供EPD<500 、 <300 、<100、＜50 的高质量LD级外延用GaAs ------
专业提供“激光领域” 用高质量 110um厚双抛GaAs ------
专业生产定制高质量砷化镓衬底片GaAs wafer、多晶棒。尺寸 2" 3" 4" 6" ，晶向（100）（111），类型：N- type 掺Si， P- type 掺Zn，半绝缘Undope 。

质量标准：

Parameter

Guaranteed / Actual Values

UOM

Growth Method:

VGF

Conduct Type:

S-C-P

Dopant:

GaAs-Zn

Diameter:

50.8± 0.4

Orientation:

(100)± 0.50

OF location/length:

EJ [ ]± 0.50/16±1

IF location/length:

EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/7±1

Ingot CC:

Min: 1.4 E19

Max: 1.9 E19

/cm3

Resistivity:

Min: N/A

Max: N/A

?·cm

Mobility:

Min: N/A

Max: N/A

cm2/v.s

EPD:

Min: 600

Max: 700

/ cm2

Thickness:

350±25

μm

Surface Finish– front:

Polished

Surface Finish –back:

Etched

Epi-Ready:

Yes