参数

基底：氧化铝
基底尺寸：10 mmx10 mm
MOS2面积: ＞10 µm2

机械剥离制备的二硫化钼，相比较锂插层制备的单层类石墨烯材料，该类材料具有缺陷少，优异的光学性质，可以研究层数和荧光效应，此外，由于保持了原有晶格结构，所以该类材料是制备器件的理想材料。