4007787550
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| 货号 | 品名 | 规格 | 包装 | 单价 | 货期 | 库存 |
| JD200528094226 | 大于10平方毫米 | 大于20平方毫米 | -- | 5120元 | 咨询客服 | 3天 |
| JD200528094214 | Cu3SbS3晶体 | 大于10平方毫米 | -- | 3120元 | 咨询客服 | 3天 |
| 性状： | 材料名称 Name
性质分类 Electrical properties 拓扑绝缘体，红外材料 Topological Insulators 禁带宽度 Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic method CVT 晶体结构 Crystal Structure cubic Degree of difficulty for exfoliation 不能剥离 Can not be exfoliated |
| 质量标准： | 参考文献 Whitfield, Harold J. "Polymorphism in skinnerite, Cu3SbS3." Solid State Communications 33.7 (1980): 747-748. Tablero, C. "Electronic property analysis of O-doped Cu3SbS3." Solar energy materials and solar cells 104 (2012): 180-184. Maiello, Pietro, et al. "Investigations of ternary Cu3SbS3 thin films as absorber in photovoltaic devices." (2011): 65-69. |
