CuInS2晶体_珈得尔化学试剂

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CuInS2晶体

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Cas号：	--	M D L：	--
分子式：	--	分子量：	--

货号	品名	规格	包装	单价	货期	库存
JD200528095053	CuInS2晶体	大于20平方毫米		5120元	咨询客服	3天
JD200528095016	CuInS2晶体	大于10平方毫米	--	3120元	咨询客服	3天

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性状：

材料名称

Name

CuInS2

性质分类

Electrical properties

拓扑材料，半金属，红外材料

Semiconductor
禁带宽度

Bangap

0.05 eV

合成方法

Synthetic method

CVT

剥离难易程度

Degree of difficulty for exfoliation

Medium

保存注意事项
Notice
晶体稳定，但表面容易氧化

Stable

质量标准：

参考文献：

1,Kolny-Olesiak, Joanna, and Horst Weller. "Synthesis and application of colloidal CuInS2 semiconductor nanocrystals." ACS applied materials & interfaces 5.23 (2013): 12221-12237.

2,Look, David C., and Jose C. Manthuruthil. "Electron and hole conductivity in CuInS2." Journal of Physics and Chemistry of Solids 37.2 (1976): 173-180.