4007787550
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| 货号 | 品名 | 规格 | 包装 | 单价 | 货期 | 库存 |
| JD200528095220 | GaGeTe晶体 | 大于20平方毫米 | -- | 5120元 | 咨询客服 | 3天 |
| JD200528095157 | GaGeTe晶体 | 大于10平方毫米 | -- | 3120元 | 咨询客服 | 3天 |
| 性状： | 材料名称 Name
性质分类 Electrical properties
TI，Semiconductor，IR Bangap 0.2 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation
Easy Notice Stable |
| 质量标准： | 参考文献： 1， Drasar, C., et al. "Thermoelectric properties and nonstoichiometry of GaGeTe." Journal of Solid State Chemistry 193 (2012): 42-46. 2， Wang, Weike, et al. "Ultrathin GaGeTe p-type transistors." Applied Physics Letters 111.20 (2017): 203504. 3，Kucek, Vladimir, et al. "Optical and transport properties of GaGeTe single crystals." Journal of crystal growth 380 (2013): 72-77. |
