4007787550
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| 货号 | 品名 | 规格 | 包装 | 单价 | 货期 | 库存 |
| JD200528095429 | GaPS4晶体 | 大于20平方毫米 | -- | 5120元 | 咨询客服 | 3天 |
| JD200528095320 | GaPS4晶体 | 大于10平方毫米 | -- | 3120元 | 咨询客服 | 3天 |
| 性状： | 材料名称 Name
性质分类 Electrical properties
Bangap 2.322 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation
Easy Stable |
| 质量标准： | 参考文献 1， Buck, P. E. T. E. R., and CLAUS DIETER Carpentier. "The crystal structure of gallium thiophosphate, GaPS4." Acta Crystallographica Section B: Structural Crystallography and Crystal Chemistry 29.9 (1973): 1864-1868. |
