Name

GeBi2Te4

性质分类

Electrical   properties

拓扑绝缘体，红外材料

Topological Insulators

禁带宽度

Bangap

0.837 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

晶体结构

Crystal   Structure

trigonal

剥离难易程度

Degree   of difficulty for exfoliation

易

Easy

Shamoto, Shin-ichi, et al. "Structural study on optical recording materials Ge2Sb2+ xTe5 and GeBi2Te4." Physica B: Condensed Matter 385 (2006): 574-577.

Tichý, L., M. Frumar, and J. Klikorka. "Some electrical properties of GeBi2Te4 single crystals." physica status solidi (a) 56.1 (1979): 323-326.

Sterzi, A., et al. "Probing band parity inversion in the topological insulator GeBi2Te4 by linear dichroism in ARPES." Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 225 (2018): 23-27.

Collaboration: Authors and editors of the volumes III/17H-17I-41E. "PbSb2S4, GeSb2Te4, GeBi2Te4, SnBi2Te4 crystal structure, physical properties." Ternary Compounds, Organic Semiconductors (2000): 1-5.

Iwaya, Katsuya, et al. "STM Studies of ternary topological insulators GeBi2Te4 and SnBi2Te4." APS Meeting Abstracts. 2014.

Marcinkova, A., et al. "Topological metal behavior in GeBi 2 Te 4 single crystals." Physical Review B 88.16 (2013): 165128.