GeS 硫化锗晶体_珈得尔化学试剂

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GeS 硫化锗晶体

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Cas号：	--	M D L：	--
分子式：	--	分子量：	--

货号	品名	规格	包装	单价	货期	库存
JD200528100821	GeS 硫化锗晶体	大于20平方毫米	--	5120元	咨询客服	3天
JD200528100753	GeS 硫化锗晶体	大于10平方毫米	--	3120元	咨询客服	3天

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性状：

材料名称

Name

GeS

性质分类

Electrical properties

拓扑材料，红外材料

禁带宽度

Bangap

1.2 eV

合成方法

Synthetic method

CVT

晶体结构

Crystal Structure

剥离难易程度

Degree of difficulty for exfoliation

容易

质量标准：

参考文献

1, Madatov, R., A. Alekperov, and O. Hasanov. "Effect of Nd Impurity on Photoconductivity and Optical Absorption Spectra of GeS Single Crystal." Journal of Applied Spectroscopy 84.1 (2017).

2,Madatov, R., A. Alekperov, and O. Hasanov. "Effect of Nd Impurity on Photoconductivity and Optical Absorption Spectra of GeS Single Crystal." Journal of Applied Spectroscopy 84.1 (2017).

3,Zhang, Shengli, et al. "Two-dimensional GeS with tunable electronic properties via external electric field and strain." Nanotechnology 27.27 (2016): 274001.