4007787550
|
 |
||||||||||||||
| 货号 | 品名 | 规格 | 包装 | 单价 | 货期 | 库存 |
| JD200528101552 | HfS3晶体 | -- | 大于20平方毫米 | 5120元 | 咨询客服 | 3天 |
| JD200528101451 | HfS3晶体 | -- | 大于10平方毫米 | 3120元 | 咨询客服 | 3天 |
| 性状： | 材料名称 Name HfS3 性质分类 Electrical properties 拓扑绝缘体，红外材料 Topological Insulators 禁带宽度 Bangap 1.119 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation
Easy |
| 质量标准： | 参考文献 1，Furuseth, S. I. G. R. I. D., Leif Brattas, and Arne Kjekshus. "Crystal Structures of TiS 3, ZrS 3, ZrSe 3, ZrTe 3, HfS 3 and HfSe 3." Acta Chemica Scandinavica 29 (1975): 623. 2，Tao, You-Rong, et al. "Flexible ultraviolet–visible photodetector based on HfS3 nanobelt film." Journal of Alloys and Compounds 658 (2016): 6-11. 3，Steffensen, A. R. N. E. "On the properties of TiS3, ZrS3, and HfS3." Acta Chem. Scand 17.5 (1963). |
