4007787550
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| 货号 | 品名 | 规格 | 包装 | 单价 | 货期 | 库存 |
| JD200528102116 | HfTe2 碲化铪晶体 | 大于25平方毫米 | -- | 3920元 | 咨询客服 | 3天 |
| JD200528101957 | HfTe2 碲化铪晶体 | 大于10平方毫米 | -- | 2720元 | 咨询客服 | 3天 |
| 性状： | 晶体大小： 5~10 mm 晶体种类： Semiconductor 纯度： >99.999 % 表征方法： EDS，SEM，Raman bandgap： 0 eV |
| 质量标准： | 参考文献： 1， Klipstein, P. C., et al. "Electronic properties of HfTe2." Journal of Physics C: Solid State Physics 19.25 (1986): 4953. 2，Mangelsen, S., et al. "Large nonsaturating magnetoresistance and pressure-induced phase transition in the layered semimetal HfTe 2." Physical Review B 96.20 (2017): 205148. 3，Smeggil, J. G., and S. Bartram. "The preparation and x ray characterization of HfTe2− x, x= 0.061." Journal of Solid State Chemistry 5.3 (1972): 391-394. |
