Name

HgPSe3

性质分类

Electrical   properties

拓扑绝缘体,红外材料

Topological Insulators
禁带宽度

Bangap

1.209 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剥离难易程度

Degree of difficulty for exfoliation

中

Medium
参考文献

1，Calareso, C., et al. "Electronic core levels of HgPX 3 chalcogenophosphates." Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films 18.2 (2000): 306-311.

2，Wang, Fengmei, et al. "New frontiers on van der Waals layered metal phosphorous trichalcogenides." Advanced Functional Materials 28.37 (2018): 1802151.