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In2GaBi2S6晶体
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分子式: -- 分子量: --
货号 品名 规格 包装 单价 货期 库存
JD200528102658 In2GaBi2S6晶体 大于25平方毫米 -- 5120元 咨询客服 3天
JD200528102541 In2GaBi2S6晶体 大于10平方毫米 -- 3120元 咨询客服 3天
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性状: 材料名称

Name


In2GaBi2S6

性质分类

Electrical   properties


拓扑材料,半导体

禁带宽度

Bangap

1.8 eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

剥离难易程度

Degree of difficulty for exfoliation


Easy
保存注意事项

Notice
晶体稳定,不需要特殊保存

Stable