4007787550
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| 货号 | 品名 | 规格 | 包装 | 单价 | 货期 | 库存 |
| JD200528103155 | In2Se3 硒化铟晶体 α-2H相 | 大于25平方毫米 | -- | 2720元 | 咨询客服 | 3天 |
| JD200528103131 | In2Se3 硒化铟晶体 α-2H相 | 大于10平方毫米 | -- | 1900元 | 咨询客服 | 3天 |
| 性状： | 晶体大小： 5~10 mm 晶体种类： Semiconductor，红外材料 0.99eV 纯度： >99.999 % 表征方法： EDS，SEM，Raman 晶体生长方式： CVT 化学气相传输法 |
| 质量标准： | 参考文献： 1，Shi, Huanhuan, et al. "Ultrafast Electrochemical Synthesis of Defect‐Free In2Se3 Flakes for Large‐Area Optoelectronics." Advanced Materials (2020): 1907244. 2，Wan, Siyuan, et al. "Nonvolatile Ferroelectric Memory Effect in Ultrathin α‐In2Se3." Advanced Functional Materials 29.20 (2019): 1808606. 3， Zhang, Fan, et al. "Atomic-scale observation of reversible thermally driven phase transformation in 2D In2Se3." ACS nano 13.7 (2019): 8004-8011. |
