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货号 | 品名 | 规格 | 包装 | 单价 | 货期 | 库存 |
JD200528103657 | In3SbTe2晶体 | 大于25平方毫米 | -- | 5120元 | 咨询客服 | 3天 |
JD200528103508 | In3SbTe2晶体 | 大于10平方毫米 | -- | 3120元 | 咨询客服 | 3天 |
性状: | 材料名称 Name In3SbTe2 性质分类 Electrical properties
Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation
Easy Stable |
质量标准: | 参考文献: Los, Jan H., et al. "First-principles study of the amorphous In 3 SbTe 2 phase change compound." Physical Review B 88.17 (2013): 174203. Naruse, Atsuko, et al. "Crystallizing mechanism and recording properties of In3SbTe2 phase-change optical disks." Japanese journal of applied physics 34.1R (1995): 156. |