4007787550
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| 货号 | 品名 | 规格 | 包装 | 单价 | 货期 | 库存 |
| JD200528104714 | InSiTe3晶体 | 大于25平方毫米 | -- | 5120元 | 咨询客服 | 3天 |
| JD200528104616 | InSiTe3晶体 | 大于10平方毫米 | -- | 3120元 | 咨询客服 | 3天 |
| 性状： | 材料名称 Name InSiTe3 性质分类 Electrical properties 半导体，热电材料 禁带宽度 Bangap 0.8 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation
Easy Notice 晶体稳定性一般，需要避开水氧保存 |
| 质量标准： | 参考文献 Debbichi, Lamjed, et al. "First-principles investigation of two-dimensional trichalcogenide and sesquichalcogenide monolayers." Physical Review B 93.24 (2016): 245307. Lefèvre, Robin, et al. "Layered tellurides: stacking faults induce low thermal conductivity in the new In 2 Ge 2 Te 6 and thermoelectric properties of related compounds." Journal of Materials Chemistry A 5.36 (2017): 19406-19415. |
