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货号 | 品名 | 规格 | 包装 | 单价 | 货期 | 库存 |
JD200529111952 | Zr5Te4晶体 | 大于25毫克 | -- | 5120元 | 咨询客服 | 3天 |
JD200529111952 | Zr5Te4晶体 | 大于10毫克 | -- | 3120元 | 咨询客服 | 3天 |
性状: | 材料名称 Name
性质分类 Electrical properties 拓扑绝缘体 Topological Insulators Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic method CVT 剥离难易程度 Degree of difficulty for exfoliation
Medium |
质量标准: | 参考文献
2,Örlygsson, Gissur, and Bernd Harbrecht. "Clustering of Zirconium Atoms in Zr5Te6: A Novel NiAs‐Type‐Related Telluride with Ordered Vacancies." Chemistry–A European Journal 6.22 (2000): 4170-4176. |