4007787550
|
 |
||||||||||||||
| 货号 | 品名 | 规格 | 包装 | 单价 | 货期 | 库存 |
| JD200529112326 | ZrSe3 三硒化锆 | 大于25毫克 | -- | 2720元 | 咨询客服 | 3天 |
| JD200529112326 | ZrSe3 三硒化锆 | 大于10毫克 | -- | 1900元 | 咨询客服 | 3天 |
| 性状： | 晶体大小： 5~10 mm 晶体种类： 半导体，红外半导体，拓扑材料 纯度： >99.999 % 表征方法： EDS，SEM，Raman 禁带宽度： 0.44eV 剥离难度： 容易 |
| 质量标准： | 参考文献： 1， Zhou, Zizhen, et al. "High thermoelectric performance originating from the grooved bands in the ZrSe3 monolayer." ACS applied materials & interfaces 10.43 (2018): 37031-37037. 2，Osada, Kazuki, et al. "Phonon properties of few-layer crystals of quasi-one-dimensional ZrS3 and ZrSe3." The Journal of Physical Chemistry C 120.8 (2016): 4653-4659. 3，Wu, Jia-Jing, et al. "Visible light nonlinear absorption and optical limiting of ultrathin ZrSe3 nanoflakes." Nanotechnology 27.46 (2016): 465203. |
