4007787550
|
 |
||||||||||||||
| 货号 | 品名 | 规格 | 包装 | 单价 | 货期 | 库存 |
| JD200529112525 | ZrTe3 拓扑绝缘体 | 大于25毫克 | -- | 5120元 | 咨询客服 | 3天 |
| JD200529112507 | ZrTe3 拓扑绝缘体 | 大于10毫克 | -- | 3120元 | 咨询客服 | 3天 |
| 性状： | 材料名称 Name ZrTe3 性质分类 Electrical properties 拓扑绝缘体，红外材料 禁带宽度 Bangap 0 eV 合成方法 Synthetic method CVT 晶体结构 Crystal Structure
Degree of difficulty for exfoliation 容易 |
| 质量标准： | 参考文献： 1， Felser, C., et al. "Electronic properties of ZrTe3." Journal of Materials Chemistry 8.8 (1998): 1787-1798. 2， Hoesch, Moritz, et al. "Disorder Quenching of the Charge Density Wave in ZrTe 3." Physical review letters 122.1 (2019): 017601. 3，Geremew, A., et al. "Current carrying capacity of quasi-1D ZrTe 3 van der Waals nanoribbons." IEEE Electron Device Letters 39.5 (2018): 735-738. |
