Name

GeBi4Te7

性质分类

Electrical   properties

拓扑绝缘体,红外材料，热电材料，相变材料

Topological Insulators

禁带宽度

Bangap

0.597   eV

合成方法

Synthetic   method

CVT

晶体结构

Crystal   Structure

trigonal

剥离难易程度

Degree   of difficulty for exfoliation

易

Easy

1，Kuznetsov, V. L., L. A. Kuznetsova, and D. M. Rowe. "Effect of nonstoichiometry on the thermoelectric properties of GeBi 4 Te 7." Journal of applied physics 85.6 (1999): 3207-3210.

2，Imai, Yoji, and Akio Watanabe. "Electronic structures of PbBi4Te7 and GeBi4Te7 calculated by a first-principle pseudopotential method." Intermetallics 11.5 (2003): 451-458.

3，Souchay, Daniel, et al. "Layered manganese bismuth tellurides with GeBi 4 Te 7-and GeBi 6 Te 10-type structures: towards multifunctional materials." Journal of Materials Chemistry C 7.32 (2019): 9939-9953.

4， Shelimova, L. E., and M. A. Kretova. "Phase transformations in Ge 3 Bi 2 Te 6, GeBi 2 Te 4 and GeBi 4 Te 7 semiconductor compounds." Izvestiya Akademii Nauk-Rossijskaya Akademiya Nauk. Neorganicheskie Materialy 29.1 (1993): 54-58.