4007787550
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| 货号 | 品名 | 规格 | 包装 | 单价 | 货期 | 库存 |
| JD200601113258 | HfSe2 硒化铪 | 超高纯 | 1g | 2000元 | 咨询客服 | 3天 |
| JD200601113235 | HfSe2 硒化铪 | 高纯 | 1g | 1000元 | 咨询客服 | 3天 |
| 性状： | 晶体种类： 半导体，拓扑材料，红外半导体材料， 纯度： 5N ， 6N 禁带宽度： 0.55eV 生长方式： CVT 化学气相传输法 更多信息： 请咨询：sales@6carbon.com |
| 质量标准： | 参考文献： 1，Mirabelli, Gioele, et al. "Air sensitivity of MoS2, MoSe2, MoTe2, HfS2, and HfSe2." Journal of Applied Physics 120.12 (2016): 125102. 2，Mleczko, Michal J., et al. "HfSe2 and ZrSe2: Two-dimensional semiconductors with native high-κ oxides." Science advances 3.8 (2017): e1700481. 3，Yin, Lei, et al. "Ultrafast and ultrasensitive phototransistors based on few-layered HfSe2." Applied Physics Letters 109.21 (2016): 213105. |
