HfTe2 碲化铪_珈得尔化学试剂

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HfTe2 碲化铪

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分子式：	--	分子量：	--

货号	品名	规格	包装	单价	货期	库存
JD200601113623	HfTe2 碲化铪	超高纯	1g	2000元	咨询客服	3天
JD200601113545	HfTe2 碲化铪	高纯	1g	1000元	咨询客服	3天

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性状：

晶体种类： Semiconductor
纯度： >99.999 %
表征方法： EDS，SEM，Raman
bandgap： 0 eV

质量标准：

参考文献：

1， Klipstein, P. C., et al. "Electronic properties of HfTe2." Journal of Physics C: Solid State Physics 19.25 (1986): 4953.

2，Mangelsen, S., et al. "Large nonsaturating magnetoresistance and pressure-induced phase transition in the layered semimetal HfTe 2." Physical Review B 96.20 (2017): 205148.

3，Smeggil, J. G., and S. Bartram. "The preparation and x ray characterization of HfTe2− x, x= 0.061." Journal of Solid State Chemistry 5.3 (1972): 391-394.