（1）光存储

氮化铜薄膜的低温热分解特性和可见光、红外波段反射率低的特点，为它在光存储的应用创造了可能性。经过热处理后的氮化铜薄膜的反射率明显增加，曲线与直接溅射得到的Cu膜较为接近：尤其在765nm处，氮化铜薄膜的反射率从20.5%增大到86.5%，这与Cu膜的88.4%非常接近。这说明氮化铜薄膜在此光波段反射系数的明显差异，为氮化铜薄膜成为新型光记录介质提供了极大的可能。

（2）太阳能电池

太阳能电池是半导体材料与新型材料在应用领域的最重要目标之一，氮化铜薄膜就具有在这一领域的潜力：采用调节氮化用薄膜中化学成分配比的手段，能够优化它的光学带隙使得光伏电压可以达到最大。

（3）金属化的应用

当对氮化铜薄膜加热或用电子束、离子束、光线照射到薄膜表面时，它就会有金属铜产生。

（4）锂电池负极材料

由于氮化铜的可多种离子掺杂特性，其有可能成为一种性能优异的锂电池负极材料。

在空气中常温下稳定，在氧气中400℃时则激烈氧化。

在真空中约从450℃开始分解。

溶于稀酸(生成铵盐)，在浓硫酸、浓硝酸中激烈分解。

晶态的氮化铜是简立方的结构，晶格常数为0.3817nm。

氮化铜薄膜是棕褐色的半透明薄膜，

其在湿度为95%，温度为60℃的条件下放置15个月后与初始相比，

没有任何光学性能的改变。

氮化铜粉末晶体处于非稳态相，颜色为紫黑色，

其在真空中360℃左右发生分解，即2Cu3N=6Cu+N2反应。